生产设备

ALD原子层沉积系统(P-300F)


PicosonP-300F ALD系统专门设计用于生产微处理器、存储器和硬盘等IC组件,以及制造电力电子、混合信号和MEMS设备(如打印头、传感器和麦克风)。

技术特点:

典型基板尺寸和类型:

·         200 mm晶圆,每批最多50

·         150 mm晶圆,每批最多50

·         100 mm晶圆,每批最多50

·         基底材料:Si、玻璃、石英、SiCGaNGaAsLinBo3LiTaO3InP

 

工艺温度及效率:

·         50 – 300°C

·         1000 / 24 hours @ 15 nm Al2O3 厚度

典型工艺:

·         Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2, and metals

·         均匀度 <1% 1σ (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49 pts, 5mm EE)

基板加载:

·         使用真空集束工具和垂直翻转功能完全自动加载

·         通过picoplatform200真空集束系统进行片盒到片盒批量加载

·         可选SMIF

前驱体:

·         液体、固体、气体、臭氧

·         共六管,最多可配备十管

PicosonP-300 ALD系统已成为大批量ALD制造的新标准。我们可以创造出具有优异的产量、低颗粒水平和优异的光电性能的高品质ALD薄膜。灵活的设计,易于快速维护,确保系统停机时间最少,拥有成本最低。我们专有的Picoflow™扩散增强技术可在超高宽高比基板上实现高保形涂层,生产过程经过验证。

PicosonP-300F ALD系统代表了工业ALD的前沿。该系统设计用于与工业标准单晶圆真空集束平台相结合的晶圆批量全自动处理。SEMI S2/S8认证的P-300F ALD系统可通过SECS/GEM选项集成到工厂自动化中。

PicosunP-300FIC创新驱动行业的ALD系统选择。

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